参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPB039N10N3 G
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2287 [库存更新时间：2024-05-04]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8410pF @ 50V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
漏源极电压Vds	100V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 160µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	117nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	160A
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.9mΩ
栅极电压Vgs	10V
Qg-栅极电荷	88nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	214W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	OptiMOS3
FET类型	N-Channel
宽度	9.25mm
正向跨导 - 最小值	76S
下降时间	14ns
上升时间	59ns
典型关闭延迟时间	48ns
典型接通延迟时间	27ns